1550 nm波段外腔窄线宽激光器增益芯片

作     者：武艳青 车相辉 王英顺 李松松 刘牧荑 Wu Yanqing;Che Xianghui;Wang Yingshun;Li Songsong;Liu Muti

作者机构：中国电子科技集团公司第十三研究所石家庄050051 

出 版 物：《半导体技术》 (Semiconductor Technology)

年 卷 期：2023年第48卷第4期

页      码：301-307,352页

摘      要：针对外腔窄线宽激光器应用设计了一款半导体增益芯片,分析了斜率效率和增益谱特性,由于封装后增益峰红移会造成器件输出功率下降,指出设计中芯片的增益峰需偏离激光器激射波长。通过优化量子阱结构及材料应力,提高了芯片的斜率效率。为了降低芯片自身法布里-珀罗(FP)腔谐振效应,采用弯曲波导配合磁控溅射四层增透膜工艺,使芯片出光端面的有效反射率明显降低,提高了窄线宽激光器输出波长的稳定性。所设计芯片采用1%压应变量子阱材料,量子阱厚度为7.5 nm,量子阱数量为3个,芯片波导与解理面法线呈6°夹角。通过半导体流片工艺完成掩埋结芯片制作,并进行窄线宽激光器封装及测试,实现了1550 nm波段高效稳定的窄线宽激光输出。

主 题 词：半导体增益芯片 增益峰红移 斜率效率 增透膜 稳定输出 

学科分类：08[工学] 0803[工学-仪器类] 

D　O　I：10.13290/j.cnki.bdtjs.2023.04.005

馆 藏 号：203120977...