基于GaN的开关电源电路测试

作     者：董炜峰 张洪博 王络文 

作者机构：黄山学院信息工程学院安徽黄山245000 

基　　金：黄山学院省级大学生创新创业训练计划项目(NO:S202110375039) 

出 版 物：《电子制作》 (Practical Electronics)

年 卷 期：2023年第31卷第4期

页      码：82-85,88页

摘      要：论文围绕大功率开关电源的发展现状,介绍了基于氮化镓GaN器件的开关电源电路测试过程。论文分别介绍了倍增整流电路、同步整流电路、半桥倍流整流电路、半桥驱动电路的设计。论文给出了测试电路,并进行了测试。测试结果表明:同步整流电路主要用MOSFET代替整流二极管,低压大电流的场合,主要损耗在极大地降低了通压降,而MOSFET导通电阻带来的导通压降较小,这样极大的降低了功耗,提高效率。

主 题 词：开关电源 GaN器件 测试电路 

学科分类：0810[工学-土木类] 08[工学] 081001[081001] 

D　O　I：10.16589/j.cnki.cn11-3571/tn.2023.04.002

馆 藏 号：203120978...