用于GaN HEMT栅驱动芯片的高性能过温保护电路

作     者：李亮 周德金 黄伟 陈珍海 LI Liang;ZHOU Dejin;HUANG Wei;CHEN Zhenhai

作者机构：苏州市职业大学电子信息工程学院江苏苏州215104 清华大学无锡应用技术研究院江苏无锡214072 复旦大学微电子学院上海200433 黄山学院智能微系统安徽省工程技术研究中心安徽黄山245041 

基　　金：江苏省高职院校教师专业带头人高端研修项目(2021GRFX058) 智能微系统安徽省工程技术研究中心开放项目(MSZXXM2001) 

出 版 物：《微电子学与计算机》 (Microelectronics & Computer)

年 卷 期：2023年第40卷第3期

页      码：93-98页

摘      要：设计了一种用于GaNHEMT器件栅驱动芯片的高性能温度保护电賂,能精确响应并输出保护信号以确保电賂安全.过温保护采用两路温度检测电路来采集温度信号电压值并对电压差值进行放大,比较滤波后经过具有滞回功能的施密特触发器输出整形保护信号,可以克服共模噪声和温度应力的影响.基于CSMC 0.18 μm BCD工艺,完成了电路设计验证与测试,结果显示电路功能正确,可满足GaNHEMT器件栅驱动芯片应用要求.

主 题 词：GaN 半桥驱动 过温保护 比较器 温度检测 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.19304/J.ISSN1000-7180.2022.0324

馆 藏 号：203120989...