凹槽栅MOSFET凹槽拐角的作用与影响研究

作     者：孙自敏 刘理天 李志坚 

作者机构：清华大学微电子所 

出 版 物：《半导体技术》 (Semiconductor Technology)

年 卷 期：1998年第23卷第5期

页      码：18-21,39页

摘      要：短沟道效应是小尺寸ＭＯＳＦＥＴ中很重要的物理效应之一，凹槽栅ＭＯＳＦＥＴ对短沟道效应有很强的抑制能力。通过对凹槽栅ＭＯＳＦＥＴ结构、特性的研究，发现凹槽拐角对凹槽栅ＭＯＳＦＥＴ的阈值电压及特性有着显著的影响。凹槽拐角处的阈值电压决定着整个凹槽栅ＭＯＳＦＥＴ的阈值电压。凹槽拐角的曲率半径是凹槽ＭＯＳＦＥＴ一个重要的结构参数。通过对凹槽拐角的曲率半径、源漏结深及沟道掺杂浓度进行优化设计，可使凹槽栅ＭＯＳＦＥＴ不仅能完成抑制短沟道效应，而且具有相当好的输出特性和Ｓ因子，使这种结构适合于深亚微米ＭＯＳＦＥＴ器件。

主 题 词：凹槽栅 MOSFET 凹槽拐角 短沟道效应 半导体器件 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.13290/j.cnki.bdtjs.1998.05.004

馆 藏 号：203120994...