面向磁光应用的CeF_(3)晶体生长与性能表征

作     者：吴振 李慧芳 张中晗 张振 李阳 蓝江河 苏良碧 武安华 WU Zhen;LI Huifang;ZHANG Zhonghan;ZHANG Zhen;LI Yang;LAN Jianghe;SU Liangbi;WU Anhua

作者机构：中国科学技术大学稀土学院合肥230026 中国科学院赣江创新研究院赣州341119 中国科学院上海硅酸盐研究所上海201899 上海理工大学材料科学与工程学院上海200093 中国电子科技集团公司第九研究所绵阳621000 

基　　金：国家重点研发计划(2021YFB360150) 上海市科技委“科技创新行动计划”国际科技合作项目(中俄)(21520711300) 中国电子科技集团公司第九研究所对外开放项目(2022SK-013) 国家自然科学基金(52272014) 

出 版 物：《无机材料学报》 (Journal of Inorganic Materials)

年 卷 期：2023年第38卷第3期

页      码：296-302页

摘      要：随着高功率激光和光通信技术的迅速发展,如何消除光学系统内部产生的反射噪声是一个至关重要的问题。磁光隔离器是依据法拉第效应设计而成的磁有源器件,能够有效隔离大部分反射光以保证光学系统稳定工作,而法拉第磁光材料作为磁光隔离器的核心部件,其研究和应用推动了磁光隔离器的更新与发展。CeF_(3)晶体具有高透过率、宽透过区间和高Verdet常数等优点,近年来获得了广泛关注,但是其传统生长方法存在成本高、周期长等缺点。本研究通过坩埚下降生长技术,优化温场结构和生长工艺,采用多孔坩埚成功获得多根CeF_(3)晶体。与商用TGG(Tb3Ga5O12)晶体相比,CeF_(3)晶体的透过率得到明显提高,最高达到92%,并且在近红外波段两者的Verdet常数相当。CeF_(3)晶体的比热较高,表明晶体拥有较强的抗热冲击能力和较高的抗激光损伤能力。本研究使用多孔坩埚技术生长CeF_(3)晶体,实现了规模化和低成本生产;生长的CeF_(3)晶体物理性能优良,具有应用于近红外波段磁光隔离器的巨大潜力。

主 题 词：CeF_(3) 磁光晶体 晶体生长 多孔坩埚技术 

学科分类：08[工学] 0803[工学-仪器类] 

核心收录：

D　O　I：10.15541/jim20220592

馆 藏 号：203121019...