带有肖特基漏极和场板结构的反向阻断垂直MOSFET研究

作     者：李涛 冯保才 刘型志 王晓飞 赵羡龙 LI Tao;FENG Baocai;LIU Xingzhi;WANG Xiaofei;ZHAO Xianlong

作者机构：北京智芯微电子科技有限公司北京100080 国网重庆市电力公司营销服务中心重庆401121 西安交通大学西安710049 

基　　金：国家电网科技项目(5500-201927267A-0-0-00) 

出 版 物：《微电子学》 (Microelectronics)

年 卷 期：2023年第53卷第1期

页      码：121-127页

摘      要：提出了一种采用肖特基漏极(SD)与场板相结合、实现硅基垂直MOSFET器件反向阻断应用的技术。基于该技术,采用二维仿真提出并研究了两种新型垂直MOSFET器件,即带有垂直场板(VFP)的SD-VFP-MOS器件和带有倾斜场板(SFP)的SD-SFP-MOS器件。相比采用肖特基漏极的MOSFET(SD-MOS)和采用超结和肖特基漏极的MOSFET(SD-SJ-MOS),所提出的SD-VFP-MOS,尤其是SD-SFP-MOS,反向击穿电压有显著提高,且几乎不影响导通特性。开展了器件的开态电流密度、关态电势分布、关态电流密度和电场分布分析,揭示了VFP和SFP提高器件反向阻断能力的内在机理。详细讨论了场板结构参数对器件反向击穿电压和场板效率的影响,研究结果对于SD-VFP-MOS和SD-SFP-MOS的设计具有重要意义。

主 题 词：垂直MOSFET 肖特基漏极 场板 反向阻断 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.13911/j.cnki.1004-3365.210483

馆 藏 号：203121207...