微尺寸半导体桥电容发火特性研究

作     者：贺翔 董海平 樊志伟 严楠 HE Xiang;DONG Hai-ping;FAN Zhi-wei;YAN Nan

作者机构：北京理工大学爆炸科学与技术国家重点实验室北京100081 西安航天动力技术研究所陕西西安710025 

出 版 物：《火工品》 (Initiators & Pyrotechnics)

年 卷 期：2023年第2期

页      码：1-6页

摘      要：为了获得微尺寸半导体桥电容发火的特征参数与设计参数的关系,对20μm×50μm×4μm 60°的半导体桥进行了不同掺杂浓度、发火电容、发火电压及两种点火药剂下的发火试验,获得设计参数与半导体桥的特征能量、特征时间的关系。结果表明:半导体桥的发火电容值从10μF增大到68μF时,高掺杂的半导体桥/斯蒂芬酸铅的最小全发火电压为6.23~4.28V,比低掺杂的半导体桥降低了0.86~1.52V;半导体桥发生电爆所需的电能随着掺杂浓度的提高而减小,但与电压值、电容值、药剂种类无关;发生电爆所需的时间随着电容值、电压值、掺杂浓度提高而缩短;等离子体加热时间和能量随着电容值、电压值、掺杂浓度提高而增大。

主 题 词：半导体桥 电爆 后期放电 发火电容 发火电压 掺杂浓度 点火药剂 

学科分类：08[工学] 082603[082603] 0826[工学-生物医学工程类] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1003-1480.2023.02.001

馆 藏 号：203121212...