基于GaAs IPD的小型化高选择性X波段宽带带通滤波器

作     者：赵辉 刘海文 冯林平 高一强 孙晓玮 ZHAO Hui;LIU Hai-wen;FENG Lin-ping;GAO Yi-qiang;SUN Xiao-wei

作者机构：西安交通大学西安712000 杭州电子科技大学杭州310018 中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050 

基　　金：国家重点研发计划(2017YFE0128200) 国家自然科学基金(U1831201,62171363) 陕西省重点研发计划国际科技合作计划重点项目(2022KWZ-15) 陕西省重点研发计划一般项目(2022GY-095) 陕西省深空探测智能信息技术重点实验室计划(2021SYS-04) 

出 版 物：《微波学报》 (Journal of Microwaves)

年 卷 期：2023年第39卷第2期

页      码：28-32,38页

摘      要：文中设计并实际开发了一种基于砷化镓(Gallium Arsenide,GaAs)集成无源器件(Integrated Passive Device,IPD)技术的小型化高选择性宽带带通滤波器。首先,所提出的带通滤波器是通过引入集总参数谐振器来设计的,以实现高选择性和宽带性能。其次,进一步研究了实现高选择性和宽带性能的工作原理。最后,为了证明所述性能,基于GaAs-IPD技术设计、制造和测量了一个紧凑型高选择性宽带带通滤波器。该滤波器工作频率覆盖了整个X波段(6~13 GHz),相对带宽为74.0%,带外实现了四个传输零点,从而实现了高选择性和良好的带外性能,芯片尺寸为0.05λ_(0)×0.03λ_(0)。比较了实测结果与电磁仿真结果,验证了该设计的可行性。

主 题 词：带通滤波器 砷化镓 集成无源器件 小型化 高选择性 宽带 

学科分类：080902[080902] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.14183/j.cnki.1005-6122.202302006

馆 藏 号：203121226...