基于阳极氧化铝纳米光栅的薄膜硅太阳能电池双重陷光结构设计与仿真

作     者：秦飞飞 张海明 王彩霞 郭聪 张晶晶 Qin Fei-Fei;Zhang Hai-Ming;Wang Cai-Xia;Guo Cong;Zhang Jing-Jing

作者机构：天津工业大学理学院天津300387 

基　　金：国家自然科学基金(批准号:61274064)资助的课题~~ 

出 版 物：《物理学报》 (Acta Physica Sinica)

年 卷 期：2014年第63卷第19期

页      码：440-445页

摘      要：本文提出了表面和底部均带有阳极氧化铝(AAO)纳米光栅的薄膜硅太阳能电池双重陷光结构,利用FDTD软件仿真研究了AAO纳米光栅的周期、厚度和占空比对薄膜硅太阳能电池短路电流密度的影响,并对AAO结构参数进行了优化.仿真结果表明,表面AAO最佳结构参数是周期440 nm,厚度75 nm,占空比0.5,底部AAO最佳结构参数是周期380 nm,厚度90 nm,占空比为0.75.双重AAO组合陷光结构可有效增加薄膜硅太阳能电池在280—1100 nm范围内的光吸收,吸收相对增强可以达到74.44%.

主 题 词：薄膜硅太阳能电池 阳极氧化铝 陷光结构 时域有限差分法 

学科分类：08[工学] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 0704[理学-天文学类] 

核心收录：

D　O　I：10.7498/aps.63.198802

馆 藏 号：203121232...