超宽禁带半导体NaYO_(2)的光电性质的第性原理研究

作     者：Nisar Muhammad M.U.Muzaffar 李会民 丁泽军 Nisar Muhammad;M.U.Muzaffar;Hui-min Li;Ze-jun Ding

作者机构：中国科学技术大学物理系合肥微尺度物质科学国家研究中心合肥230026 中国科学技术大学合肥微尺度物质科学国家研究中心国际功能材料量子设计中心中国科学院量子信息与量子物理卓越中心合肥230026 中国科学技术大学超级计算中心合肥230026 

基　　金：The work was supported by the National Key Research and Development Project(2019YFF0216404) Education Ministry through“111 Project 2.0”(BP0719016) 

出 版 物：《Chinese Journal of Chemical Physics》 (化学物理学报（英文）)

年 卷 期：2023年第36卷第2期

页      码：186-192,I0055页

摘      要：超宽禁带半导体在发展电子器件的性能方面具有巨大潜力.本文利用密度泛函理论和精确的屏蔽杂化泛函计算了两种不同相的NaYO_(2)的电子和光学性质.电子结构计算结果表明,NaYO_(2)的单斜相和三方相都表现为直接带隙,大小分别5.6 eV和5.4 eV,超越了公认的金刚石和GaN半导体材料,为半导体行业提供了一个物理上现实的材料平台.研究了NaYO_(2)两相的光学性质,发现它们在红外和可见光区都是透明的.因此,NaYO_(2)可被用作红外窗口材料.

主 题 词：NaYO_(2) 第一性原理计算 电子结构 光学性质 

学科分类：080903[080903] 081702[081702] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 0817[工学-轻工类] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 0702[理学-物理学类] 

核心收录：

D　O　I：10.1063/1674-0068/cjcp2104080

馆 藏 号：203121272...