超薄层SOI高压LVD LDMOS耐压模型及特性研究

作     者：王卓 周锌 陈钢 杨文 庄翔 张波 WANG Zhuo;ZHOU Xin;CHEN Gang;YANG Wen;ZHUANG Xiang;ZHANG Bo

作者机构：电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室成都610054 

基　　金：中央高校基本科研业务费资助项目(ZYGX2013J043) 国家重点实验室开放课题(KFJJ201203) 

出 版 物：《微电子学》 (Microelectronics)

年 卷 期：2015年第45卷第6期

页      码：812-816页

摘      要：针对超薄层高压SOI线性变掺杂(Linear Varied Doping,LVD)LDMOS器件,进行了耐压模型和特性的研究。通过解泊松方程,得到超薄高压SOI LVD LDMOS的RESURF判据,有助于器件耐压和比导通电阻的设计与优化。通过对漂移区长度、厚度和剂量,以及n型缓冲层仿真优化,使器件耐压与比导通电阻的矛盾关系得到良好的改善。实验表明,超薄层高压SOI LVD LDMOS的耐压达到644V,比导通电阻为24.1Ω·mm2,击穿时埋氧层电场超过200V/cm。

主 题 词：超薄SOI层 线性变掺杂 高压LDMOS 耐压模型 RESURF 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.13911/j.cnki.1004-3365.2015.06.029

馆 藏 号：203121277...