GaAs及GaN微波毫米波多功能集成电路芯片综述

作     者：彭龙新 邹文静 孔令峥 张占龙 PENG Longxin;ZOU Wenjing;KONG Lingzheng;ZHANG Zhanlong

作者机构：南京电子器件研究所南京210016 杭州致善微电子科技有限公司杭州310000 

出 版 物：《固体电子学研究与进展》 (Research & Progress of SSE)

年 卷 期：2023年第43卷第2期

页      码：121-135页

摘      要：综合论述了GaAs和GaN微波毫米波的收发多功能芯片、幅相多功能芯片和GaAs限幅放大器集成芯片的发展状况、电路结构和性能特性,简述了收发多功能中的功率放大器和低噪声放大器的设计方法、幅相多功能中数字移相器和衰减器的设计方法,给出了限幅低噪声放大器中限幅器的设计参考。

主 题 词：砷化镓赝配高电子迁移率晶体管 氮化镓高电子迁移率晶体管 微波单片集成电路 多功能芯片 低噪声放大器 功率放大器 数控衰减器 数控移相器 开关 GaAs数字电路 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 080902[080902] 08[工学] 

D　O　I：10.19623/j.cnki.rpsse.2023.02.012

馆 藏 号：203121278...