高电源电压抑制比带隙基准电压源的设计

作     者：何恩沛 吕辉 吴松 任佳锐 He Enpei;Li Hui;Wu Song;Ren Jiarui

作者机构：湖北工业大学芯片产业学院湖北武汉430068 湖北工业大学理学院湖北武汉430068 南开大学电子信息与光学工程学院天津300350 

基　　金：湖北省高等学校优秀中青年科技创新团队计划项目(T201907) 国家电网有限公司总部科技项目(5700-202155257A-0-0-00) 

出 版 物：《南开大学学报（自然科学版）》 (Acta Scientiarum Naturalium Universitatis Nankaiensis)

年 卷 期：2023年第56卷第2期

页      码：31-36页

摘      要：为了提高LDO的电压性能,设计了一款电压基准.基于带隙基准温度补偿的原理,通过增加运放、RC滤波器的方式改变了电路的结构,使得带隙基准的电源抑制比(PSRR)和温度系数得到了优化,并且改变了核心电路中MOS管与电阻的连接方式,让输出基准电压(V_(REF))可以在2-4 V之间调整.从仿真结果得知,当电源电压为2 V时,输出基准电压为1.19 V;温度在-40-85℃变化时,温度系数为1.9918 ppm/℃;高频电源电压抑制比为-72 dB@10 MHz.

主 题 词：带隙基准 多级运算放大器 电源电压抑制比 温度系数 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

馆 藏 号：203121287...