应用于STT-MRAM存储器的高可靠灵敏放大器设计

作     者：李嘉威 吴楚彬 王超 孙杰杰 杨霄垒 赵桂林 LI Jiawei;WU Chubin;WANG Chao;SUN Jiejie;YANG Xiaolei;ZHAO Guilin

作者机构：中国电子科技集团公司第五十八研究所江苏无锡214035 

出 版 物：《电子与封装》 (Electronics & Packaging)

年 卷 期：2023年第23卷第4期

页      码：60-64页

摘      要：自旋转移矩磁性随机存储器(STT-MRAM)以其非易失性、速度快、数据保持时间长等优势被认为是最有潜力的新型存储技术之一。然而,由于磁性隧道结(MTJ)的温度相关性,其隧穿磁阻率(TMR)在高温下会变低,对高可靠灵敏放大器的设计提出了更高的要求。基于2T-2MTJ存储单元,设计了一款可以工作在宽温度范围内的高灵敏度放大器。在-40~125℃的温度范围内,该灵敏放大器在TMR为50%时仍具有较高的灵敏度,保证了STT-MRAM的读可靠性。

主 题 词：自旋转移矩磁性随机存储器 2T-2MTJ 高可靠性 灵敏放大器 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.16257/j.cnki.1681-1070.2023.0031

馆 藏 号：203121292...