一种新型的SiC/GaN Mosfet隔离驱动集成电路的设计与实现

作     者：王少杰 彭建伟 王涛 WANG Shaojie;PENG Jianwei;WANG Tao

作者机构：邵阳学院机械与能源工程学院湖南邵阳422000 

基　　金：邵阳学院研究生创新项目(CX2021SY036) 

出 版 物：《邵阳学院学报（自然科学版）》 (Journal of Shaoyang University：Natural Science Edition)

年 卷 期：2023年第20卷第2期

页      码：45-51页

摘      要：为解决隔离变压器驱动存在副边SiC/GaN MOSFET导通期间电压不稳定和负压关断尖峰的问题,提出了一种磁隔离的SiC/GaN MOSFET脉冲式驱动集成电路。该集成电路为脉冲式驱动。当隔离变压器的原边绕组接收到一个正电压脉冲,经过SiC/GaN MOSFET的结电容保持,从而产生一个平台,维持SiC/GaN MOSFET的开通;当隔离变压器的原边绕组接收到一个负电压脉冲,结电容进行放电,使得SiC/GaN MOSFET关断。该方案可以解决现有的副边SiC/GaN MOSFET导通保持电压不稳定和负压关断尖峰的问题,实现隔离变压器副边SiC/GaN MOSFET导通保持电压稳定和钳位关断负压保持稳定。实验和仿真结果表明该新型集成电路的正确性和可靠性。

主 题 词：SiC MOSFET 脉冲 变压器驱动 

学科分类：0810[工学-土木类] 08[工学] 081001[081001] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1672-7010.2023.02.006

馆 藏 号：203121299...