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高均匀性1×4多模干涉耦合器的研究与设计

高均匀性1×4多模干涉耦合器的研究与设计

作     者:李赵一 范作文 丛庆宇 周敬杰 曾宪峰 郑少南 董渊 胡挺 钟其泽 贾连希 LI Zhao-yi;FAN Zuo-wen;CONG Qing-yu;ZHOU Jing-jie;ZENG Xian-feng;ZHENG Shao-nan;DONG Yuan;HU Ting;ZHONG Qi-ze;JIA Lian-xi

作者机构:上海大学微电子学院上海201800 中科院上海微系统与信息技术研究所上海200050 上海微技术工业研究院上海201800 

基  金:国家重点研发计划资助项目(2018YFB2200503) 

出 版 物:《光通信研究》 (Study on Optical Communications)

年 卷 期:2023年第3期(12)卷第3期

页      码:53-59页

摘      要:针对多输出端口输出光功率的不均匀性问题,文章设计了一种基于绝缘体上硅(SOI)的1×4多模干涉(MMI)耦合器,提出了一种优化其均匀性的新方法。耦合器输入/输出端采用锥形波导,为提升MMI耦合器的均匀性,对输出端锥形波导采用不等宽设计,通过优化,四路输出端口均匀性高达0.0074 dB,而总的插损仅有0.058 dB。依据该方法最终使得输出端波导的传输常数失配,避免了波导之间的串扰,实现了对MMI耦合器输出端口均匀性的提升。

主 题 词:硅光子学 多模干涉耦合器 均匀性 损耗 

学科分类:070207[070207] 07[理学] 0702[理学-物理学类] 

D O I:10.13756/j.gtxyj.2023.03.009

馆 藏 号:203121680...

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