(10~20)GHz低附加相移数控衰减器设计

作     者：万开奇 喻阳 顾世玲 

作者机构：中国电子科技集团公司第二十四研究所重庆400060 

出 版 物：《电子产品世界》 (Electronic Engineering & Product World)

年 卷 期：2023年第30卷第5期

页      码：68-70,81页

摘      要：基于GaAs 0.25μm pHEMT工艺,设计一款高精度、低附加相移数控衰减器。该低附加相移数控衰减器由6位衰减单元级联组成,衰减范围为(0~31.5)dB,步进为0.5 dB。在(10~20)GHz工作频率范围内,衰减器插损小于4.8 dB,所有衰减状态衰减精度不大于±0.5 dB、附加相移不大于±3°,输入驻波系数不大于1.4,输出驻波系数不大于1.5。

主 题 词：高精度 低附加相移 数控衰减器 

学科分类：080902[080902] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

馆 藏 号：203121680...