多分辨率高速线列CMOS图像传感器设计

作     者：陈世军 李梧萤 王欣 解宁 CHEN Shijun;LI Wuying;WANG Xin;XIE Ning

作者机构：中国科学院上海技术物理研究所中国科学院红外成像材料与器件重点实验室上海200083 南通智能感知研究院江苏南通226009 

基　　金：科技部重点研发资助项目(2019YFB2204100) 

出 版 物：《半导体光电》 (Semiconductor Optoelectronics)

年 卷 期：2023年第44卷第2期

页      码：168-171页

摘      要：设计并验证了一款可选分辨率、高速1024线列CMOS图像传感器。为了优化列总线读出速率,芯片采用总线分割技术以减小总线寄生电容,有效提升了信号读出速率。传感器具有4种可选择分辨率功能,使其具有更高的帧频。设计的芯片采用0.5μm标准CMOS工艺成功流片,验证了设计的正确性。测试结果表明:满阱容量为4.76 Me^(-)/像素,动态范围为75 dB;在128分辨率下,帧频能达到36000 frames/s。

主 题 词：电容反馈跨阻放大器 高速 建立时间 CMOS图像传感器 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.16818/j.issn1001-5868.2022113003

馆 藏 号：203121903...