E波段GaAs PHEMT工艺有源六倍频器MMIC

作     者：陈长友 刘会东 崔璐 CHEN Changyou;LIU Huidong;CUI Lu

作者机构：中国电子科技集团公司第十三研究所河北石家庄050051 

出 版 物：《现代信息科技》 (Modern Information Technology)

年 卷 期：2023年第7卷第9期

页      码：60-62,67页

摘      要：基于GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺设计了一款输出频率在E波段的有源六倍频器微波单片集成电路(MMIC)。片上集成六倍频器及输出驱动放大器,采用PHEMT管进行倍频,具有较高输出功率及较小的芯片尺寸。在片探针测试结果显示该倍频器芯片在输入功率5dBm时,输出66~88GHz频率范围内,输出功率大于13dBm,谐波抑制20dBc,功耗600 mW,芯片尺寸为3.0 mm×1.4 mm×0.07 mm。

主 题 词：GaAs赝配高电子迁移率晶体管 单片微波集成电路 E波段 有源六倍频器 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.19850/j.cnki.2096-4706.2023.09.014

馆 藏 号：203122159...