基于硅基MEMS工艺的Ka波段四通道短砖式三维集成T/R微系统

作     者：杨栋 赵宇 Yang Dong;Zhao Yu

作者机构：中国电子科集团公司第十三研究所石家庄050051 

出 版 物：《半导体技术》 (Semiconductor Technology)

年 卷 期：2023年第48卷第6期

页      码：506-511页

摘      要：基于硅基微电子机械系统(MEMS)工艺设计了一种Ka波段四通道短砖式三维集成T/R微系统,实现四通道收发及功率合成功能。器件每个通道具备6 bit数控移相、5 bit数控衰减、电源调制等功能。该T/R微系统由两层硅基MEMS模块堆叠而成,每层硅基模块内部异构集成多个单片微波集成电路(MMIC),内部采用硅通孔(TSV)实现垂直互连,层间采用植球互连,器件尺寸为18 mm×19.5 mm×3 mm。经测试,在33~37 GHz频段内,器件单通道饱和发射功率大于30 dBm,接收增益约为35 dB,噪声系数小于4.6 dB。器件兼顾高性能和高集成度,可应用于雷达相控阵系统。

主 题 词：相控阵雷达 硅基微电子机械系统(MEMS)工艺 T/R微系统 三维异构集成 硅通孔(TSV) 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.13290/j.cnki.bdtjs.2023.06.009

馆 藏 号：203122191...