改进K型单刀四掷射频MEMS开关

作     者：芮召骏 朱健 黄镇 姜理利 RUI Zhaojun;ZHU Jian;HUANG Zhen;JIANG Lili

作者机构：南京电子器件研究所南京210016 

出 版 物：《固体电子学研究与进展》 (Research & Progress of SSE)

年 卷 期：2023年第43卷第3期

页      码：266-271页

摘      要：针对射频器件小型化以及5G通信发展的需求,设计了一款射频微机电系统(RF-MEMS)单刀四掷开关。该开关由一个改进型K型功分器和六个单刀单掷开关级联构成,并基于硅基MEMS工艺进行制造。其中,改进型K型功分器由多个Y型功分器串并联构成。改进的开关各端口具有插入损耗小和隔离度高的特点。最终流片的测试结果显示:该单刀四掷MEMS开关的插入损耗优于2.8 dB,隔离度优于29 dB。

主 题 词：射频MEMS 硅基工艺 单刀四掷开关 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.19623/j.cnki.rpsse.20230420.002

馆 藏 号：203122387...