基于GaN的宽带Doherty功率放大器设计

作     者：葛国语 刘宇希 GE Guo-yu;LIU Yu-xi

作者机构：宁波大学信息科学与工程学院宁波315211 

基　　金：国家自然科学基金(U1809203) 毫米波国家重点实验室开放课题(K202211) 

出 版 物：《无线通信技术》 (Wireless Communication Technology)

年 卷 期：2023年第32卷第2期

页      码：54-57页

摘      要：带宽是Doherty功率放大器一个重要的性能指标,相比于单管的功率放大器,Doherty功率放大器存在更多的带宽限制因素。研究已经表明,后匹配结构可以有效的拓展Doherty功率放大器的带宽。本文相比于传统Doherty功放,将合路点处的阻抗值匹配到更靠近负载牵引处的阻抗值,在简化输出匹配结构的基础之上更能够有效的扩展Doherty功放的带宽。设计中采用安捷伦公司的先进设计系统软件(Advanced design system,ADS),选取Cree公司CGH40010F GaN HEMT晶体管。经过电路仿真和实物测试,结果表明该DPA在1.8-2.9 GHz频带内,饱和输出功率为42.3 dBm-44.4 dBm,饱和增益大于11 dB,饱和漏极效率60%-69%,输出功率回退6 dB时漏极效率42%-51%。

主 题 词：宽带功率放大器 Doherty 后匹配 GaN 

学科分类：080902[080902] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1003-8329.2023.02.012

馆 藏 号：203122396...