硫掺杂锑化镓的电子结构和电学性质

作     者：康超 KANG Chao

作者机构：江西科技师范大学江西省光电子与通信重点实验室南昌330038 

基　　金：江西省自然科学基金项目(20202ACB202006) 

出 版 物：《江西科学》 (Jiangxi Science)

年 卷 期：2023年第41卷第3期

页      码：522-527页

摘      要：锑化镓(GaSb)因其具有高电子迁移率和低功耗等特点受到关注,但由于该材料存在大量的受主缺陷使其在应用上受到一定限制。因此,研究GaSb中的缺陷物理以改善材料性能显得尤为重要。运用基于密度泛函理论框架下的第一性原理计算方法,研究了含本征缺陷GaSb及S掺杂GaSb(001)表面的电子结构和电学特性。计算结果表明,GaSb缺陷是GaSb中主要的受主缺陷,S原子倾向于分布在近表面区域,随着S掺杂浓度增加,材料的导电属性发生明显的改变。研究结果有助于理解S掺杂对GaSb电导率的影响,并为GaSb基半导体的设计提供理论指导。

主 题 词：第一性原理 GaSb 掺杂 电子结构 

学科分类：08[工学] 080104[080104] 0815[工学-矿业类] 0801[工学-力学类] 080102[080102] 

D　O　I：10.13990/j.issn1001-3679.2023.03.018

馆 藏 号：203122397...