一种用于负压LDO芯片的过温保护电路

作     者：苟超 刘一锴 保兴润 赵镱翔 GOU Chao;LIU Yi-kai;BAO Xing-run;ZHAO Yi-xiang

作者机构：中国电子科技集团公司第二十四研究所重庆400060 

基　　金：重庆市自然科学基金 项目编号:CSTC2021JCYJ-MSXMX1197 

出 版 物：《环境技术》 (Environmental Technology)

年 卷 期：2023年第41卷第5期

页      码：108-112页

摘      要：本文介绍了一种用于负压LDO芯片的过温保护电路。该电路利用负压带隙基准电压的零温漂特性与三极管基极-发射极电压差的负温漂特性来产生过温控制信号。同时将该过温保护电路集成到一款负压LDO芯片中。负压LDO芯片基于4μm双极工艺流片,测试结果表明:LDO芯片的过温保护点在(165~170)℃,过温恢复点在(95~100)℃,与设计值基本吻合。

主 题 词：负压LDO芯片 过温保护电路 双极工艺 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1004-7204.2023.05.021

馆 藏 号：203122419...