亚微米GaAs PHEMT器件的结构设计与优化

作     者：李拂晓 郑惟彬 康耀辉 黄庆安 林罡 LI Fu-xiao;ZHENG Wei-bin;KANG Yao-hui;HUANG Qing-an;LIN Gang

作者机构：东南大学MEMS教育部重点实验室江苏省南京市210000 南京电子器件研究所单片集成电路与模块电路国家重点试验室江苏省南京市210000 

出 版 物：《微波学报》 (Journal of Microwaves)

年 卷 期：2007年第23卷第1期

页      码：52-55页

摘      要：主要论述了采用POSES软件对亚微米GaAs PHEMT器件进行的结构设计与优化。在结构设计过程中,本文首先简要分析了PHEMT器件的工作原理;然后利用POSES软件数值求解了材料结构和器件性能之间的关系,并根据上述分析结果优化器件结构设计,完成流片实验。流片得到的0.25μm GaAs PHEMT器件的性能参数为:跨导gm=440mS/mm、截止频率fT=50GHz、最大振荡频率fmax>80GHz,显示出良好的DC和AC小信号特性。

主 题 词：砷化镓 膺配高电子迁移率晶体管 二维电子气 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1005-6122.2007.01.012

馆 藏 号：203122427...