一种新型D-RESURF埋栅SOI LDMOS

作     者：廖红 张伟 罗小蓉 张波 李肇基 顾晶晶 LIAO Hong;ZHANG Wei;LUO Xiao-rong;ZHANG Bo;LI Zhao-ji;GU Jing-jing

作者机构：电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室成都610054 

基　　金：国家自然科学基金重点资助项目(60436030) 

出 版 物：《微电子学》 (Microelectronics)

年 卷 期：2008年第38卷第6期

页      码：869-872页

摘      要：提出了一种新型D-RESURF埋栅SOI LDMOS(EGDR-SOI LDMOS)结构,其栅电极位于P-body区的下面,可以在扩展的埋栅电极处形成多数载流子的积累层;同时,采用DoubleRESURF技术,在漂移区中引入两区的P降场层,有效降低了器件的比导通电阻,并提高了器件的击穿电压。采用二维数值仿真软件MEDICI,对器件的扩展栅电极、降场层进行了优化设计。结果表明,相对于普通SOI LDMOS,该结构的比导通电阻下降了78%,击穿电压上升了22%。

主 题 词：功率器件 埋栅 Double RESURF S0i LDMOS 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

馆 藏 号：203122481...