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W频段波导气密结构的功率合成放大器设计

W频段波导气密结构的功率合成放大器设计

作     者:马战刚 冯思润 余小辉 Ma Zhangang;Feng Sirun;Yu Xiaohui

作者机构:中国电子科技集团公司第十三研究所河北石家庄050000 

出 版 物:《电子技术应用》 (Application of Electronic Technique)

年 卷 期:2023年第49卷第7期

页      码:11-15页

摘      要:针对3 mm频段功率合成的需要,设计了一种波导气密结构的4合1放大器,用来实现W频段瓦级的气密功率合成输出。本设计引入硅基结构实现了W频段组件的气密,解决了传统3 mm频段波导组件难以气密的难题。本设计基于波导合路原理,运用高频结构仿真软件对气密波导合路结构进行了建模与仿真。通过对比模型的仿真结果与样机实测数据,表明该W频段波导气密功率合成放大器的指标可满足设计要求。

主 题 词:气密波导 功率合成器 电磁场 

学科分类:080902[080902] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D O I:10.16157/j.issn.0258-7998.233895

馆 藏 号:203122501...

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