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SiO_2基Mach-Zehnder型传感芯片的制备与敏感性研究

SiO_2基Mach-Zehnder型传感芯片的制备与敏感性研究

作     者:吴远大 姜婷 安俊明 李建光 王玥 王红杰 胡雄伟 

作者机构:中国科学院半导体研究所光电子研究发展中心北京100083 

基  金:国家自然科学基金资助项目(60707008 60977045) 国家"863"计划资助项目(2007AA03Z420) 中科院半导体所知识创新工程前沿方向资助项目(ISCAS2008T09) 

出 版 物:《光电子.激光》 (Journal of Optoelectronics·Laser)

年 卷 期:2011年第22卷第2期

页      码:159-162页

摘      要:设计并制作了一种基于SiO2/Si材料的Mach-Zehnder干涉仪(MZI)型集成光波导传感芯片。采用不同浓度的NaCl溶液对传感芯片的敏感特性进行了测试分析,研究结果表明,该传感芯片对特定浓度NaCl溶液的响应和恢复时间分别为1.0 s和0.6 s,可测最小折射率变化为2×10-4RIU(单位折射率变化),在NaCl溶液折射率1.3488~1.3736范围内具有较好的线性响应。

主 题 词:Mach-Zehnder干涉仪(MZI) 光波导传感 NaCl溶液 SiO2/Si 敏感性 

学科分类:0808[工学-自动化类] 070207[070207] 0809[工学-计算机类] 07[理学] 0702[理学-物理学类] 

核心收录:

D O I:10.16136/j.joel.2011.02.030

馆 藏 号:203122578...

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