用于APFC的低功耗MOSFET驱动电路设计

作     者：史凌峰 王庆斌 许文丹 苗紫晖 SHI Lingfeng;WANG Qingbin;XU Wendan;MIAO Zihui

作者机构：西安电子科技大学超高速电路设计与电磁兼容教育部重点实验室陕西西安710071 西安电子科技大学电路设计研究所陕西西安710071 上海卫星工程研究所上海200240 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(60876023) 超高速电路设计与电磁兼容教育部重点实验室资助项目 

出 版 物：《西安电子科技大学学报》 (Journal of Xidian University)

年 卷 期：2011年第38卷第1期

页      码：54-58,65页

摘      要：设计了一款用于驱动有源功率因数校正外部功率MOSFET的驱动电路.该电路包括电平移位和图腾柱输出级两个部分.电平移位采用电流镜结构,通过控制偏置电流降低电路功耗.图腾柱输出级通过加入死区时间降低功耗,并将高压P管的栅电压箝位在6 V和11 V之间,不仅能够降低功耗,也节省了版图面积.基于0.4μm BCD工艺,采用HSPICE仿真结果表明,在VDD为14 V,开关频率为75 kHz时,整体电路的功耗约为7.34 mW,并节约了15%的版图面积.

主 题 词：有源功率因数校正 低功耗 电平移位 功率MOSFET 

学科分类：080801[080801] 0808[工学-自动化类] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 0812[工学-测绘类] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.1001-2400.2011.01.009

馆 藏 号：203122578...