硅晶片化学机械抛光液的研究进展

作     者：严嘉胜 何锦梅 吴少彬 陈孙翔 董博裕 王宪章 Yan Jiasheng;He Jinmei;Wu Shaobin;Chen Sunxiang;Dong Boyu;Wang Xianzhang

作者机构：广东海洋大学机械工程学院广东湛江524088 德旭新材料(广州)股份有限公司广东广州510535 

基　　金：广东省科技厅企业科技特派员项目(GDKTP2021026200) 广东海洋大学博士科研启动经费(060302012005) 高端装备界面科学与技术全国重点实验室开放基金(SKLTKF22B14) 

出 版 物：《广东化工》 (Guangdong Chemical Industry)

年 卷 期：2023年第50卷第14期

页      码：68-70页

摘      要：硅晶片广泛应用于集成电路领域,对其表面质量和平整度提出了极高的要求。化学机械抛光(CMP)可对硅晶片表面实现局部和整体平坦化精细加工,抛光液是影响抛光质量和抛光效率的关键因素之一。本文归纳了抛光液中磨料、pH值调节剂、氧化剂、分散剂和表面活性剂等组成部分的作用及其研究进展,目的在于为硅片CMP抛光液的设计、制备和合理选用提供参考依据。

主 题 词：化学机械抛光 抛光液 硅晶片 表面粗糙度 材料去除率 

学科分类：0817[工学-轻工类] 08[工学] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1007-1865.2023.14.022

馆 藏 号：203122618...