基于PdSe_(2)/InSe的高性能范德华异质结隧穿器件

作     者：孙科学 李江霖 陈泽锋 许建斌 赵强 Sun Kexue;Li Jianglin;Chen Zefeng;Xu Jianbin;Zhao Qiang

作者机构：南京邮电大学电子与光学工程学院、柔性电子(未来技术)学院江苏南京210023 射频集成与微组装技术国家地方联合工程实验室江苏南京210023 苏州大学光电科学与工程学院江苏苏州215006 香港中文大学电子工程系中国香港999077 

基　　金：江苏省研究生实践创新计划(SJCX21_0279) 国家自然科学基金(11304160) 南京邮电大学国自孵化项目(NY220013) 

出 版 物：《激光与光电子学进展》 (Laser & Optoelectronics Progress)

年 卷 期：2023年第60卷第13期

页      码：242-248页

摘      要：由二维材料制成的范德华异质结为设计和实现多功能和高性能的电子、光电设备提供了竞争机会。为了构建能够在室温下工作的异质结,选择一种五边形二维层状贵金属过渡金属双硫分子配合物PdSe_(2),其具有空气稳定性及高电子场效应迁移率。在刚性SiO_(2)/Si衬底上制造的InSe器件具有约50 ms的响应时间,在光开关中表现出长期稳定性,能够在柔性基板上运作。在肖特基结和异质结的适当能带对准设计下,PdSe^(2)和InSe构成的异质结构在室温下显示出超过106的高反向整流比和低于pA的超低正向电流,同时具有超过108的高电流开/关比。因此,PdSe_(2)/InSe范德华异质结可以用作超灵敏的光电探测器,表现出明显的光伏效应,具有光谱检测能力。该研究为基于二维材料的范德华集成和设计以及光电多功能设备的能带对准技术提供了新思路。

主 题 词：PdSe_(2) InSe 范德华异质结 光电探测器 

学科分类：070207[070207] 07[理学] 08[工学] 0803[工学-仪器类] 0702[理学-物理学类] 

核心收录：

D　O　I：10.3788/LOP230432

馆 藏 号：203122620...