InSb焦平面芯片的响应率提升研究

作     者：米南阳 宁提 李忠贺 崔建维 MI Nan-yang;NING Ti;LI Zhong-he;CUI Jian-wei

作者机构：华北光电技术研究所北京100015 

出 版 物：《红外》 (Infrared)

年 卷 期：2023年第44卷第7期

页      码：21-25页

摘      要：InSb光伏探测器的响应率是评价探测器性能的重要指标之一。探测器的电压信号与响应率成正比。从光敏芯片的角度提出了增大InSb红外探测器信号的方法。通过实验设计,优化了台面湿法刻蚀的方法,减小了芯片p型层的厚度。优化台面刻蚀方法使台面面积增加,InSb芯片的I-V电流增大了40%,组件的电压信号值提升了16%。进一步将InSb芯片的p型层厚度减小至0.8~1.2μm后,InSb芯片的I-V电流增大了67.3%,单元组件的电压信号值提升了40.2%。基于InSb光敏芯片光生载流子的产生到光电流的转换过程,分析了台面湿法刻蚀以及p型层的厚度对信号的影响机理。该研究对于提升InSb探测器信号和优化探测器性能具有重要的指导意义。

主 题 词：InSb红外探测器 信号 I-V性能 湿法刻蚀 p-n结 

学科分类：080901[080901] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080401[080401] 0804[工学-材料学] 0803[工学-仪器类] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1672-8785.2023.07.004

馆 藏 号：203122622...