低纹波超辐射发光二极管的增透膜研制

作     者：游道明 谭满清 郭小峰 郭文涛 曹营春 陈文彬 You Daoming;Tan Manqing;Guo Xiaofeng;Guo Wentao;Cao Yingchun;Chen Wenbin

作者机构：中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室北京100083 中国科学院大学材料科学与光电技术学院北京100049 中国科学院大学电子电气与通信工程学院北京100049 

基　　金：国家电网公司科技项目(5700-202058482A-0-0-00) 

出 版 物：《中国激光》 (Chinese Journal of Lasers)

年 卷 期：2023年第50卷第13期

页      码：26-35页

摘      要：纹波系数是超辐射发光二极管(SLD)的关键指标,增透薄膜被用于降低纹波系数。基于平面波方法的增透膜设计得到广泛应用,然而倾斜腔面SLD中增透膜的性能普遍不佳,使用时域有限差分方法进行分析,发现存在反射曲线偏离和反射率高等问题。优化了增透膜设计,优化后1°~10°腔面倾角内的反射率降低,降幅最高达82%,其中双层增透膜反射率低于0.05%。采用反应磁控溅射工艺镀膜,并验证了优化设计效果。经过增透膜优化,光谱纹波得到有效抑制,SLD管芯纹波系数和调制系数分别仅为0.019 dB和2.30×10^(-3),降幅超过50%,在100 mA的驱动电流下仍保持10 mW的光功率。所研制的增透膜能够有效减小腔面反射率,利用该增透膜制备了低纹波SLD。研究结果为SLD及其他半导体光电子器件的光学薄膜研制提供了参考。

主 题 词：薄膜 超辐射发光二极管 增透膜 倾斜腔面 优化设计 纹波系数 

学科分类：08[工学] 0804[工学-材料学] 0805[工学-能源动力学] 0803[工学-仪器类] 

核心收录：

D　O　I：10.3788/CJL220983

馆 藏 号：203122628...