不同氧掺杂硫化钼的光谱性质分析

作     者：王思雨 王亚楠 阮伟东 赵冰 WANG Si-yu;WANG Ya-nan;RUAN Wei-dong;ZHAO Bing

作者机构：吉林大学超分子结构与材料国家重点实验室吉林长春130032 

基　　金：国家自然科学基金项目(21327803 21611130173 21773080 21711540292)资助 

出 版 物：《光谱学与光谱分析》 (Spectroscopy and Spectral Analysis)

年 卷 期：2023年第43卷第S1期

页      码：137-138页

摘      要：少量的氧对材料性质的影响也是十分显著的,在非氧化物半导体中可以通过一定的实验设计引入氧[1]。在此,我们通过水热方法合成了一种氧掺杂的硫化钼,并在不同的温度下通过退火处理获得不同氧掺杂量的MoS_(x)O_(y)。在本工作中所获得的MoS_(x)O_(y)通过光谱分析可推测其获得了氧空位和氧结合。在SERS基底的应用中,新引入的氧空位和氧结合可能引起电荷转移共振增强以及激子共振,从而放大半导体基底-分析物-分子之间的之间的作用,实现半导体的SERS增强,为半导体在SERS基底上的应用提供了新的思路。

主 题 词：硫化钼 氧掺杂 SERS 

学科分类：081702[081702] 081704[081704] 07[理学] 08[工学] 0817[工学-轻工类] 070302[070302] 0703[理学-化学类] 

核心收录：

馆 藏 号：203122628...