850nm窄发散角单模半导体激光器材料研究

作     者：宁吉丰 王彦照 陈宏泰 房玉龙 NING Ji-feng;WANG Yan-zhao;CHEN Hong-tai;FANG Yu-long

作者机构：中国电子科技集团公司第十三研究所 

出 版 物：《标准科学》 (Standard Science)

年 卷 期：2023年第S1期

页      码：190-194页

摘      要：短距离激光雷达技术应用广泛,但是要求器件的发散角比较小。针对器件的发散角,通过商用软件和波导模拟软件,设计850nm GaAs/AlGaAs扩展波导外延材料结构。采用非对称波导结构设计,有助于降低内部光学损耗,提高激光器的斜率效率,降低激光器功耗。通过优化腐蚀阻挡层GaInP的掺杂浓度,消除能带不连续导致器件电压升高问题。采用MOCVD生长了带有腐蚀阻挡层的AlGaAs/GaAs非对称扩展波导外延片,并制作成条宽2.5μm、腔长1mm的激光器芯片。测试结果表明,室温条件直流条件测试下,阈值电流为35mA,斜率效率为1.2 W/A,输出功为200mW@200mA,快轴发散角测试为15°。

主 题 词：850nm 单模 窄发散角 激光二极管 

学科分类：080901[080901] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080401[080401] 0804[工学-材料学] 0803[工学-仪器类] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1674-5698.2023.z1.036

馆 藏 号：203122647...