65 nm工艺SRAM中能质子单粒子效应研究

作     者：陈锡鑫 殷亚楠 高熠 郭刚 陈启明 CHEN Xixin;YING Ya'nan;GAO Yi;GUO Gang;CHEN Qiming

作者机构：中国电子科技集团公司第五十八研究所江苏无锡214035 中国原子能科学研究院抗辐射应用技术创新中心北京102413 

出 版 物：《电子与封装》 (Electronics & Packaging)

年 卷 期：2023年第23卷第7期

页      码：77-80页

摘      要：基于一款带错误检测与纠正(EDAC)功能的65 nm体硅CMOS SRAM,开展了中能质子对纳米级集成电路单粒子效应影响的研究。在SRAM本征工作模式和EDAC模式下,得到了2组试验结果。分析试验数据发现:在重离子与中能质子试验中,采用商用6T设计规则的电路均未发生单粒子闩锁现象,但都发生了单粒子多位翻转现象;质子单粒子效应引起的错误数已饱和,而重离子单粒子效应引起的错误数则随能量不断增加,该现象与2种粒子引起单粒子效应的机理有关。质子与重离子饱和截面的差异是由质子核反应的概率导致的,但空间错误率相近。此次试验很好地探索了中能质子对SRAM电路的影响,明确了质子与重离子导致单粒子错误的异同,为SRAM在航天上的应用奠定了基础。

主 题 词：辐射效应 单粒子效应 中能质子 SRAM 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.16257/j.cnki.1681-1070.2023.0094

馆 藏 号：203122653...