uPlanar研磨头对晶圆边缘平坦度影响的研究

作     者：叶文君 刘兆琪 YE Wenjun;LIU Zhaoqi

作者机构：上海杰为电子科技有限公司上海201306 

出 版 物：《微纳电子与智能制造》 (Micro/nano Electronics and Intelligent Manufacturing)

年 卷 期：2022年第4卷第2期

页      码：87-92页

摘      要：化学机械抛光(chemical mechanical polishing,CMP)是集成电路制造的一项关键工艺过程,随着芯片器件尺寸越来越小,CMP变得越来越重要。晶圆研磨头是CMP设备的关键部件,对晶圆表面平坦度,尤其是晶圆边缘平坦度有着重要影响。本文主要介绍uPlanar研磨头的优化设计和工作机理,通过uPlanar研磨头与传统研磨头对不同制程晶圆的研磨数据进行对比,得出uPlanar研磨头在提升晶圆边缘平坦度方面具有明显优势。

主 题 词：uPlanar研磨头 晶圆边缘 平坦度 

学科分类：080904[080904] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.19816/j.cnki.10-1594/tn.2022.02.087

馆 藏 号：203122656...