半导体激光根管内照射与牙根表面温度变化的关系

作     者：陈幸 朱庆萍 沈中华 CHEN Xing;ZHU Qingping;SHEN Zhonghua

作者机构：南京医科大学附属口腔医院特诊科南京210029 南京理工大学理学院南京210094 

基　　金：江苏省高校优势学科建设工程资助项目 

出 版 物：《口腔医学》 (Stomatology)

年 卷 期：2013年第33卷第9期

页      码：615-618页

摘      要：目的采用不同功率半导体激光根管内连续照射或间隔照射,观察3种照射模式对根管外壁温度升高的影响。方法实验一:60颗离体单根管牙分A组(功率1.5 W)与B组(功率3 W),每组又分为3亚组(A1、A2、A3),每组10颗,采用三种不同照射模式:A1:照射5s 4次,A2:照射10 s 2次,单次照射间均间隔5 s;A3:连续照射20 s,同时测定根管外壁平均温度的变化。实验二:30颗离体单根管牙,采用功率1.5 W,连续照射20 s的模式,测定牙根外三点:G1(根尖点)、G2(根尖1/3)、G3(根中1/3)温度变化值。结果 A组中,A1、A2、A3照射模式下根管外壁温度升高均值分别为4.78℃,5.21℃,5.97℃,3组间无明显统计学差异。B组于相同照射模式下温升均值均大于A组,且B3模式下根管外壁温度升高最高可达10.3℃。相同照射条件下,根尖(G1点)温度升高明显低于根尖1/3(G2点)及根中1/3(G3点)的温度(P<0.05),G2、G3间无显著统计学差异。结论照射模式及激光功率对根管外壁温度改变均有显著影响,且不同部位升温幅度也不相同。功率1.5 W条件下,本实验设计的3种不同照射模式,均是临床较为安全的使用参数。

主 题 词：半导体激光 单次照射时间 牙根表面 温度测定 

学科分类：1003[医学-口腔医学类] 100302[100302] 10[医学] 

D　O　I：10.13591/j.cnki.kqyx.2013.09.005

馆 藏 号：203122707...