外延片FS-IGBT背面发射结注入效率一致性的控制技术分析
作者机构：上海华虹挚芯电子科技有限公司上海202210
出 版 物：《集成电路应用》 (Application of IC)
年 卷 期：2023年第40卷第7期
页 码：38-40页
摘 要：阐述外延片FS-IGBT背面发射结注入效率一致性的控制技术,包括IGBT器件的特点,IGBT背面FS层的设计技术,IGBT产品工艺流程设计。探讨在FS-IGBT背面减薄之后,背面硼离子注入之前,用四探针测试芯片背面方块电阻来控制背面发射结发射效率,实现背面FS层的高精度控制。
主 题 词：集成电路制造 绝缘栅双极晶体管 背面FS层 工艺流程设计
学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502]
D O I：10.19339/j.issn.1674-2583.2023.07.015
馆 藏 号：203122710...
