辐射加固LDMOS器件的总剂量辐射效应

作     者：谢儒彬 葛超洋 周锌 曹利超 陈浪涛 吴建伟 乔明 XIE Rubin;GE Chaoyang;ZHOU Xin;CAO Lichao;CHEN Langtao;WU Jianwei;QIAO Ming

作者机构：中国电子科技集团公司第58研究所江苏无锡214035 电子科技大学成都610054 

基　　金：微电子预先研究基金资助项目(31513040106) 

出 版 物：《现代应用物理》 (Modern Applied Physics)

年 卷 期：2023年第14卷第2期

页      码：170-175页

摘      要：基于标准Bipolar-CMOS-DMOS(BCD)工艺研制的抗辐射电源管理芯片无法满足航天应用要求,抗辐射BCD工艺的发展严重制约了我国在航天领域核心器件的研制。与CMOS器件相比,LDMOS器件具有更高的工作电压和更多的介质结构,更易受到总剂量问题的困扰。本文基于标准0.18μm BCD工艺,开展了18 V NLDMOS器件总剂量辐射效应研究,提出了一种总剂量辐射加固工艺技术。采用离子注入和材料改性技术工艺,提高了浅槽隔离场区边缘的P型硅反型阈值,从而增强了NLDMOS器件的抗辐射能力。通过对比实验表明,当辐照总剂量为100 krad(Si)时,加固的NLDMOS器件的抗辐射性能明显优于非加固的器件。通过总剂量辐射加固工艺技术的研究,可有效提高器件的抗总剂量辐射能力,避免设计加固造成芯片面积增大的问题。

主 题 词：辐射加固 总剂量效应 浅槽隔离 0.18μm BCD LDMOS 

学科分类：082703[082703] 080901[080901] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080401[080401] 0804[工学-材料学] 0827[工学-食品科学与工程类] 0803[工学-仪器类] 

D　O　I：10.12061/j.issn.2095-6223.2023.020603

馆 藏 号：203122714...