基于绝缘体上硅的颅内压力传感器的设计与制作

作     者：钟长志 王凌云 卜振翔 刘路江 谷丹丹 ZHONG Changzhi;WANG Lingyun;BU Zhenxiang;LIU Lujiang;GU Dandan

作者机构：厦门大学航空航天学院福建厦门361102 厦门大学萨本栋微米纳米科学技术研究院福建厦门361102 

基　　金：航空科学基金(201946068005) 

出 版 物：《厦门大学学报（自然科学版）》 (Journal of Xiamen University：Natural Science)

年 卷 期：2023年第62卷第4期

页      码：517-524页

摘      要：基于当前医疗领域对颅内压(intracranial pressure,ICP)测量的迫切需要,设计并制造了一款量程为-10~50 kPa的绝缘体上硅(silicon-on-insulator,SOI)压阻式压力传感器.根据硅的压阻效应原理和小挠度变形理论,完成了传感器的整体结构设计,采用微电子机械系统(micro-electromechanical systems,MEMS)加工工艺完成了敏感芯片的制备,并结合柔性印刷电路板(flexible printed circuit,FPC)和生物柔性硅胶技术对芯片进行了放大补偿和封装.最后对其进行了压力疲劳循环测试,测试结果表明:FPC封装的压力传感器在常温环境下具有较低的非线性误差、迟滞性和重复性,经过放大后的输出灵敏度可以达到3.706 mV/kPa.

主 题 词：压力传感器 颅内压(ICP) 微机电系统(MEMS) 压阻效应 柔性印刷电路板(FPC) 

学科分类：08[工学] 0828[工学-建筑类] 082801[082801] 

D　O　I：10.6043/j.issn.0438-0479.202205009

馆 藏 号：203122726...