集成封装发光二极管光提取效率的计算及优化

作     者：白一鸣 罗毅 韩彦军 李洪涛 BAI Yi-ming;LUO Yi;HAN Yan-jun;LI Hong-tao

作者机构：清华大学电子工程系清华信息科学技术国家实验室(筹)北京100084 清华大学深圳研究生院半导体照明实验室广东深圳518057 

基　　金：国家科技支撑计划资助项目(No.2011BAE01B07,No.2012BAE01B03) 国家973重点基础研究发展计划资助项目(No.2012CB315605,No.2011CB301900) 国家863高技术研究发展计划资助项目(No.2011AA03A112,No.2011AA03A106,No.2011AA03A105) 国家自然科学基金资助项目(No.61176015,No.60723002,No.61176059,No.60977022,No.51002085) 广东省科技计划资助项目(No.2011A081301003) 北京市自然科学基金资助项目(No.4091001) 集成光电子学国家重点联合实验室开放基金资助项目(No.IOSKL2012KF09) 

出 版 物：《光学精密工程》 (Optics and Precision Engineering)

年 卷 期：2014年第22卷第5期

页      码：1129-1137页

摘      要：基于蒙特卡罗方法模拟、计算并分析了芯片类型、大小、间距、数量以及布局对GaN基发光二极管(LED)集成封装器件COB(Chip On Board)能效的影响。计算结果表明:在芯片间距小于200μm且芯片尺寸或布局等参数相同的条件下,正装LED COB的能效最低,其次为倒装LED COB,垂直结构芯片的能效最大。当芯片间距大于200μm,3种LED COB的能效趋向饱和。芯片尺寸增加或数量减少可使正装和倒装芯片COB的能效上升,而垂直结构COB的能效基本保持不变。加入图形衬底可提高同样尺寸或布局的正装芯片COB封装器件的能效,但使倒装芯片COB的能效恶化。分析表明:芯片的侧面出光量占整个芯片出光量的比值以及相邻芯片材料的吸收对3种类型COB封装器件的能效有决定性影响。文中还针对正装芯片COB设计了新型菱形芯片布局,与常规正方形芯片布局的COB相比,其能效提高了6.2%。

主 题 词：发光二极管 集成封装 COB(Chip On Board) 光提取效率 蒙特卡罗方法 

学科分类：0808[工学-自动化类] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 0805[工学-能源动力学] 0803[工学-仪器类] 0702[理学-物理学类] 

核心收录：

D　O　I：10.3788/ope.20142205.1129

馆 藏 号：203122733...