一种高速低耗全摆幅BiCMOS反相器

作     者：董素玲 成立 DONG Su-ling;CHENG Li

作者机构：徐州建筑职业技术学院机电工程系江苏徐州221008 江苏大学电气与信息工程学院江苏镇江212013 

出 版 物：《徐州建筑职业技术学院学报》 (Journal of XUZHOU Institute of Architectural Technology)

年 卷 期：2003年第3卷第4期

页      码：33-36页

摘      要：通过分析影响双极互补金属氧化物半导体 (BiCMOS)反相器全摆幅输出和高速度的诸因素 ,设计了具有高速、低功耗、全摆幅输出的BiCMOS反相器 ,提出了采用先进的 0 .8μmBiCMOS工艺制作反相器的一些技术要点 .该反相器可以工作在 1.5V ,信号传输延迟很小 ,速度高于同类CMOS电路 10倍以上 。

主 题 词：BiCMOS 反相器 全摆幅 双极互补金属氧化物半导体 超大规模集成电路 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.3969/j.issn.2095-3550.2003.04.010

馆 藏 号：203122877...