基于过渡金属硫化物的存储器研究型创新实验设计

作     者：王海珍 赵斐 李德慧 WANG Haizhen;ZHAO Fei;LI Dehui

作者机构：华中科技大学集成电路学院湖北武汉430074 华中科技大学光学与电子信息学院湖北武汉430074 华中科技大学武汉光电国家研究中心湖北武汉430074 

基　　金：国家自然科学项目面上项目(62074064) 

出 版 物：《实验技术与管理》 (Experimental Technology and Management)

年 卷 期：2023年第40卷第7期

页      码：14-19页

摘      要：实验教学是高校人才培养的重要环节,如何将科研内容融入实验教学是培养学生创新素养的关键。在信息化时代,数据类型多样化及其容量的急剧增长对存储器的要求越来越高。基于过渡金属硫化物的存储器件因具有较好的存储能力和较高的集成密度成为存储器领域的研究热点。因此,该文设计了基于过渡金属硫化物WS_(2)存储器的研究型创新实验。采用机械剥离和干法转移制备了WS_(2)场效应晶体管(FET),采用拉曼光谱对WS_(2)进行表征,利用氧等离子体处理SiO_(2)表面引入界面态来实现多位数据存储,并进一步对存储器的电学特性和存储性能进行了测试。该创新实验涵盖了材料表征、存储器件制备、电学和存储特性测试以及机理分析等过程,涉及半导体、材料学、微电子和集成电路多个学科领域,且能结合实际科研内容,可极大地提高学生的科研积极性,有利于培养学生的科研思维和创新能力。

主 题 词：WS_(2)存储器 电学特性 存储性能 研究型创新实验 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.16791/j.cnki.sjg.2023.07.003

馆 藏 号：203123090...