基于忆阻器的1T1M可重构阵列结构

作     者：蒋林 张丁月 李远成 曹非 隆茂森 JIANG Lin;ZHANG Dingyue;LI Yuancheng;CAO Fei;LONG Maosen

作者机构：西安科技大学计算机科学与技术学院西安710600 西安科技大学电气与控制工程学院西安710600 西安科技大学通信与信息工程学院西安710600 

基　　金：国家自然科学基金(61834005) 陕西省自然科学基金(2020JM-525) 榆林市科技计划(CXY-2020-026) 

出 版 物：《电子与信息学报》 (Journal of Electronics & Information Technology)

年 卷 期：2023年第45卷第8期

页      码：3047-3056页

摘      要：忆阻器(Memristor)或者阻变存储器(ReRAM)是一种具有存储和计算功能的新型非易失性存储器(NVM),可以用作存算一体(PIM)的非冯·诺依曼计算机体系架构的基础器件。针对可重构阵列处理器数据计算速度和存储速度不匹配的问题,该文采用电压阈值自适应忆阻器(VTEAM)模型,经过凌力尔特通用模拟电路仿真器(LTSPICE)仿真验证,可以实现布尔逻辑完备集。在此基础上,设计了一种1T1M忆阻器交叉阵列,具有结构简单、可重构性和高并行性的特点,利用蒙特卡罗(MC)法进行容差分析,计算精度达到0.998。该阵列与现有的先进阵列相比,能有效提升芯片的性能,降低处理延迟与能耗,可以与可重构阵列处理器结合以应对“存储墙”问题。

主 题 词：存算一体 忆阻器 阵列 可重构 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 080902[080902] 08[工学] 0714[0714] 0701[理学-数学类] 0812[工学-测绘类] 

核心收录：

D　O　I：10.11999/JEIT220718

馆 藏 号：203123094...