X波段GaN千瓦级功率放大器的设计

作     者：斛彦生 黄旭 王毅 李剑锋 倪涛 银军 郭艳敏 HU Yansheng;HUANG Xu;WANG Yi;LI Jianfeng;NI Tao;YIN Jun;GUO Yanming

作者机构：中国电子科技集团公司第十三研究所石家庄050051 

出 版 物：《固体电子学研究与进展》 (Research & Progress of SSE)

年 卷 期：2023年第43卷第4期

页      码：296-301页

摘      要：为满足新型雷达对千瓦级大功率放大器的需求,采用0.25μm GaN HEMT工艺研制了一款输出功率大于2000 W的X波段内匹配功率放大器。通过背势垒层结构与双场板结构提高器件击穿电压,使GaN HEMT管芯的工作电压达到60 V。通过负载牵引得到管芯最优阻抗,采用T型匹配网络和功率分配/合成器将管芯阻抗匹配到50Ω。在工作电压60 V、占空比1‰、脉宽5μs测试条件下,9.0~9.4 GHz频段内输出功率大于2000 W,最大功率密度达到10.4 W/mm,功率增益大于7 dB,功率附加效率大于37.2%。

主 题 词：大功率 GaN HEMT X波段 内匹配 功率合成 

学科分类：080902[080902] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.19623/j.cnki.rpsse.2023.04.009

馆 藏 号：203123297...