基于InAs/GaAs异质结的δ掺杂磁半导体纳米结构的电子自旋输运

作     者：李健文 梁文斯钰 朱昊天 赖伊倩 吴子明 吴琦 LI Jian-wen;LIANG Wen-siyu;ZHU Hao-tian;LAI Yi-qian;WU Zi-ming;WU Qi

作者机构：南昌工程学院理学院 南昌市光电转换与储能材料重点实验室 南昌工程学院光电材料与新能源技术重点实验室江西南昌330099 

基　　金：江西省教育厅科学技术研究项目(编号:GJJ190962) 江西省大学生创新创业训练计划项目(编号:S202011319009) 

出 版 物：《宜春学院学报》 (Journal of Yichun University)

年 卷 期：2023年第45卷第6期

页      码：36-40,101页

摘      要：本文研究了基于InAs/GaAs异质结的δ掺杂磁纳米结构的电子自旋输运性质。计算了透射系数、电导和自旋极化。主要分析和讨论了δ掺杂的权重和位置对电子自旋极化输运的影响。结果表明,δ掺杂权重的增加可以显著抑制电子的透射系数和电导。通过改变δ掺杂的权重和位置可以实现较大程度的自旋极化。研究结果将有助于理解δ掺杂磁纳米结构中的实验现象和设计δ掺杂可调制自旋电子器件。

主 题 词：磁纳米结构 δ掺杂 自旋极化 自旋电子器件 

学科分类：08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1671-380X.2023.06.006

馆 藏 号：203123302...