一种源漏缓冲浮栅型低漏电场效应晶体管

作     者：唐强 靳晓诗 TANG Qiang;JIN Xiaoshi

作者机构：沈阳工业大学信息科学与工程学院沈阳110870 

出 版 物：《微处理机》 (Microprocessors)

年 卷 期：2023年第44卷第4期

页      码：15-18页

摘      要：为解决当前主流晶体管MOSFET的反向泄漏电流较大的问题,并对传统FINFET做进一步优化,提出一种源漏缓冲浮栅型的具有较低漏电的场效应晶体管。所设计出的双向开关装置具有低静态功耗和低反向泄漏电流,只需一个独立外部供电的栅电极就可控制器件的导通、关断和浮栅擦写功能。通过改变器件中浮栅注入的电荷类型以及半导体中的掺杂浓度,即可使器件工作在不同的模式下,还可使整个器件拥有更低的反向漏电流和更高的正向导通电流。整体结构相互对称,源漏可以互换,因此具有更好的兼容性。

主 题 词：鳍式场效应晶体管 浮栅 低漏电 低功耗 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1002-2279.2023.04.005

馆 藏 号：203123303...