一种高压驱动器的抗辐射加固设计

作     者：蒋红利 江月艳 孙志欣 邵卓 钟涛 高欣宇 JIANG Hongli;JIANG Yueyan;SUN Zhixin;SHAO Zhuo;ZHONG Tao;GAO Xinyu

作者机构：中科芯集成电路有限公司江苏无锡214072 

出 版 物：《电子与封装》 (Electronics & Packaging)

年 卷 期：2023年第23卷第8期

页      码：56-62页

摘      要：随着星载雷达技术的发展,发射及接收(T/R)组件系统中的发射功率越来越高。高压调制驱动器配套功率开关PMOS管,作为T/R组件中大功率GaN功放的电源调制驱动,大大提高了T/R组件的集成度及可靠性。介绍了一款T/R组件系统中32V的高压调制驱动器,基于高压BCD工艺进行设计、流片,设计上通过选取合适的高压器件及器件工作电压,优化逻辑结构、版图器件隔离及布线等技术进行抗辐射加固。经过验证,产品达到了100krad(Si)总剂量指标及75MeV·cm^(2)/mg的单粒子指标。

主 题 词：高压驱动器 电源调制 PMOS 抗辐射加固 高压BCD工艺 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.16257/j.cnki.1681-1070.2023.0111

馆 藏 号：203123305...