基于变电阻驱动的SiC器件开关轨迹协同调控

作     者：邹铭锐 曾正 孙鹏 王亮 王宇雷 Zou Mingrui;Zeng Zheng;Sun Peng;Wang Liang;Wang Yulei

作者机构：输配电装备及系统安全与新技术国家重点实验室(重庆大学)重庆400044 

基　　金：国家自然科学基金项目(52177169) 重庆市基础研究与前沿探索项目(cstc2021zdyjA0035) 重庆市研究生科研创新项目(CYS22023)资助 

出 版 物：《电工技术学报》 (Transactions of China Electrotechnical Society)

年 卷 期：2023年第38卷第16期

页      码：4286-4300页

摘      要：得益于优异的电-热性能,SiC器件在新能源变流器中得到了越来越多的应用。然而,相对于Si器件,SiC器件的开关速度更快、安全裕度更低、电磁干扰更大,制约了其安全可靠运行。基于栅极驱动电阻的动态切换,该文提出一种四阶段变电阻的SiC MOSFET器件开关轨迹调控方法,实现开关速度、损耗、过冲、振荡、串扰、延迟等多项性能的协同优化,建立驱动电阻对SiC器件开关轨迹定量调控的数学模型,发现开关性能量化指标与开关轨迹不同阶段之间的解耦规律,提出分阶段变电阻的驱动方法,实现开关轨迹中多个控制目标之间的协同优化,给出驱动电阻取值的通用设计方法,提出驱动电阻切换的交错时序逻辑,对比传统驱动方法,采用大量实验结果,验证了所提模型方法的有效性。

主 题 词：SiC MOSFET器件 主动栅极驱动 四阶段变电阻 开关轨迹调控 多目标协同 

学科分类：080801[080801] 0808[工学-自动化类] 08[工学] 

核心收录：

D　O　I：10.19595/j.cnki.1000-6753.tces.221116

馆 藏 号：203123307...